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　　一般把反應(yīng)物是氣態(tài)而生成物之一的固態(tài)的反應(yīng)稱為CVD反應(yīng),CVD技術(shù)原理是建立在化學(xué)反應(yīng)基礎(chǔ)上的。

　　目前常用的CVD沉積反應(yīng)一般有以下幾種原理。

　　1、熱分解反應(yīng)

　　2、氫還原反應(yīng)

　　3、置換或合成反應(yīng)

　　4、化學(xué)輸運(yùn)反應(yīng)

　　5、固相擴(kuò)散反應(yīng)

　　CVD技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)主要包括以下幾個(gè)方面：

　　1、應(yīng)用范圍廣

　　2、成膜速度快

　　3、工作是在低真空條件下進(jìn)行的，因此鍍膜的繞射性好，在形狀復(fù)雜，如有深孔，細(xì)孔的工件上都能均勻鍍膜。

　　4、由于反應(yīng)氣體、反應(yīng)產(chǎn)物和基片的相互擴(kuò)散，可以得到附著強(qiáng)度好的鍍膜，這對(duì)于制備耐磨、抗腐蝕等表面強(qiáng)化膜是很重要的。

　　5、由于薄膜生長(zhǎng)的溫度比膜材的熔點(diǎn)低得多，因此能得到高純度、結(jié)晶完全的膜層，這是某些半導(dǎo)體用鍍層所必需的。膜層純度高，結(jié)晶完全是由于低溫生長(zhǎng)，反應(yīng)氣體和反應(yīng)器壁以及其中所含不純物幾乎不發(fā)生反應(yīng)，對(duì)膜層玷污少等原因所致。

　　6、CVD可以獲得平滑的沉積表面。在沉積過(guò)程中成核率高，成核密度大，在整個(gè)平面上分布均勻，從而可產(chǎn)生宏觀平滑的表面。

　　7、輻射損傷低，這是制造MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)等器件不可缺少的條件。

　　CVD技術(shù)的一些缺點(diǎn)主要有：

　　1、有時(shí)參加沉積的反應(yīng)物及反應(yīng)后的氣體易燃、易爆、有毒或具有腐蝕性，因此需要采取預(yù)防措施。2、欲對(duì)基材 局部或某個(gè)表面沉積薄膜很困難，3、反應(yīng)溫度高，一般為1000攝氏度左右。

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